用于多目标模拟的双口RAM读出方法及电路2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116884455 A (43)申请公布日 2023.10.13 (21)申请号 202310856473.0 (22)申请日 2023.07.12 (71)申请人 武汉贞坤电子有限公司 地址 430073 湖北省武汉市东湖新技术开 发区老武黄公路26号慧谷时空1幢 2203 (72)发明人 张怀东　周巧玲　谭亮　 (74)专利代理机构 湖北武汉永嘉专利代理有限 公司 42102 专利代理师 许美红 (51)Int.Cl. G11C 7/22 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图2页 (54)发明名称 用于多目标模拟的双口RAM读出方法及电路 (57)摘要 本发明公开了一种用于多目标模拟的双口 RAM读出方法及电路，属于智能硬件技术领域，该 方法包括 ：根据待模拟目标的距离最小调节精 度，确定写入时钟频率 ；根据写入时钟频率和待 模拟的目标个数，确定读出随路时钟的频率，并 输出对应频率的读出随路时钟；接收FPGA发出的 每个目标模拟的使能信号，并根据每个目标使能 信号的时间顺序分别读取RAM中存储的待模拟目 标的信息数据，按照读出随路时钟生成具有多通 道的多目标模拟数据发送至FPGA；其中，每个目 标的使能信号为FPGA根据每个目标的距离所对 应的延迟时刻发出，多目标模拟数据中的通道与 A 模拟目标一一对应。该方法可以大大节约FPGA资 5 源，减小多目标下状态下常规RAM芯片数目。 5