一种多层次立体化的MEMS器件抗冲击防护结构的制备方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112938894 A (43)申请公布日 2021.06.11 (21)申请号 202110264919.1 (22)申请日 2021.03.11 (71)申请人 中北大学 地址 030051 山西省太原市尖草坪区学院 路3号 (72)发明人 曹慧亮　刘俊　石云波　唐军　 申冲　赵锐　郭天琪　 (74)专利代理机构 太原新航路知识产权代理事 务所(特殊普通合伙) 14112 代理人 王勇 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) B81B 7/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图3页 (54)发明名称 一种多层次立体化的MEMS器件抗冲击防护 结构的制备方法 (57)摘要 本发明涉及MEMS器件的抗冲击防护技术，具 体是一种多层次立体化的MEMS器件抗冲击防护 结构的制备方法。本发明解决了冲击过程中产生 的应力波容易导致MEMS器件无法正常工作的问 题。一种多层次立体化的MEMS器件抗冲击防护结 构的制备方法，该方法是采用如下步骤实现的： 步骤一：溅射第一金属电极层；步骤二：刻蚀形成 硅凹槽；步骤三：将硅片的下表面与玻璃基底的 上表面键合；步骤四：对硅片进行减薄；步骤五： 释放MEMS器件的硅微结构；步骤六：刻蚀形成玻 璃凹槽，刻蚀形成玻璃通孔；步骤七：将玻璃盖板 A 的下表面与硅片的上