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包括图案化EM辐射吸收层的光电子器件

2023-05-28 13:02:44 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202180067758.5
  • 公开(公告)日:2023-05-26
  • 公开(公告)号:CN116171257A
  • 申请人:OTI照明公司
摘要:本发明公开了一种半导体器件及其制造方法,该半导体器件促进其上EM辐射的吸收。该器件在至少一个侧向朝向延伸。EM辐射吸收层被沉积在第一层表面上,该EM辐射吸收层包括至少一种颗粒结构的不连续层,该颗粒结构包括沉积材料。该颗粒结构促进入射在其上的EM辐射的吸收,并且可包括晶种,该沉积材料可倾向于围绕该晶种聚结,并且/或者包括与共沉积介电材料共沉积的该沉积材料。该EM辐射吸收层可设置在支撑介电层上和/或由覆盖介电层覆盖。公开了一种图案化涂层,其对于该沉积材料和/或晶种材料在该图案化涂层的表面上的沉积的初始黏着概率小于对于该沉积材料和/或晶种材料在第二层表面上的沉积的该初始黏着概率。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116171257 A (43)申请公布日 2023.05.26 (21)申请号 202180067758.5 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2022/054018 EN 2022.03.17 (22)申请日 2021.09.13 (71)申请人 OTI照明公司 (30)优先权数据 地址 加拿大安大略省 63/077,247 2020.09.11 US 63/107,393 2020.10.29 US (72)发明人 Z ·王 王琦 Y-L ·常  63/122,421 2020.12.07 US M ·海兰德  63/129,163 2020.12.22 US (74)专利代理机构 北京派特恩知识产权代理有 63/141,857 2021.01.26 US 限公司 11270 63/153,834 2021.02.25 US 专利代理师 陈万青 李雪 63/163,453 2021.03.19 US

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