光刻工艺中调整ADI尺寸方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114859669 A (43)申请公布日 2022.08.05 (21)申请号 202210395922.1 (22)申请日 2022.04.14 (71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司 地址 201203 上海市浦东新区康桥东路298 号1幢1060室 (72)发明人 刘雪强　俞海滨　 (74)专利代理机构 上海浦一知识产权代理有限 公司 31211 专利代理师 郭四华 (51)Int.Cl. G03F 7/20 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图3页 (54)发明名称 光刻工艺中调整ADI尺寸方法 (57)摘要 本发明公开了一种光刻工艺中调整ADI尺寸 方法，包括：步骤一、进行ADI目标值确认；步骤 二、运行OPC；步骤三、进行掩膜版制作；步骤四、 进行光刻和刻蚀工艺的试运行；步骤五、进行TEM 确认所述ADI目标值是否符合要求；如果不符合 则进行后续步骤六；如果符合则进行后续步骤 七；步骤六、进行光源优化；之后回到步骤四。步 骤七、进行后续工艺试运行。本发明能通过优化 光源来均匀改变ADI尺寸，不需要OPC重新建立模 型，也不需要重新出版mask，节省成本同时加快 项目开发周期。 A 9 6 6 9 5 8 4 1 1 N C CN 114859669 A 权　利　要　求　书 1/2 页