氧化镁密封腔的制备方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112744781 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 201911039852.0 (22)申请日 2019.10.29 (71)申请人 中北大学 地址 030051 山西省太原市学院路3号 (72)发明人 熊继军　贾平岗　刘佳　梁庭　 谭秋林　刘文怡　 (74)专利代理机构 深圳舍穆专利代理事务所 (特殊普通合伙) 44398 代理人 黄贤炬 (51)Int.Cl. B81C 1/00(2006.01) B81C 3/00(2006.01) G01D 21/02(2006.01) 权利要求书2页 说明书13页 附图5页 (54)发明名称 氧化镁密封腔的制备方法 (57)摘要 本公开描述了一种氧化镁密封腔的制备方 法，其包括：准备工序，准备第一氧化镁晶片和第 二氧化镁晶片；图案化工序，对第一氧化镁晶片 的掩膜层进行光刻形成预定的图案；刻蚀工序， 使用磷酸溶液对第一氧化镁晶片进行湿法刻蚀， 并去除掩膜层；以及键合工序，对刻蚀后的第一 氧化镁晶片的带有腔体的一面进行表面处理，对 第二氧化镁晶片的一面进行表面处理，并将第一 氧化镁晶片的第一键合面与第二氧化镁晶片的 第二键合面直接键合，以形成由第一氧化镁晶片 和第二氧化镁晶片组成的密封体。由此，能够提 高这种密封体的密封性能，