掩膜版以及半导体结构的形成方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112946995 A (43)申请公布日 2021.06.11 (21)申请号 201911259659.8 G03F 7/20(2006.01) (22)申请日 2019.12.10 (71)申请人 中芯国际集成电路制造（上海）有限 公司 地址 201203 上海市浦东新区中国（上海） 自由贸易试验区张江路18号 申请人 中芯国际集成电路制造（北京）有限 公司 (72)发明人 游林　张婉娟　陈术　 (74)专利代理机构 上海知锦知识产权代理事务 所(特殊普通合伙) 31327 代理人 高静 (51)Int.Cl. G03F 1/38(2012.01) G03F 1/00(2012.01) 权利要求书2页 说明书12页 附图7页 (54)发明名称 掩膜版以及半导体结构的形成方法 (57)摘要 一种掩膜版以及半导体结构的形成方法，所 述掩膜版包括：第一掩膜版，包括主图形以及位 于主图形中的反相辅助图形；第二掩膜版，与第 一掩膜版相配合，包括补偿图形，补偿图形的透 光特性与反相辅助图形的透光特性相反，补偿图 形在第一掩膜版上的投影覆盖反相辅助图形且 位于主图形中。本发明实施例的掩膜版还包括与 第一掩膜