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发明

包含自由基捕获剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物2024

2024-04-21 07:50:24 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202410140541.8
  • 公开（公告）日：2024-04-19
  • 公开（公告）号：CN117908332A
  • 申请人：日产化学株式会社
摘要：提供在半导体制造中的光刻工艺中使用的、保存稳定性优异的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含主链中包含二硫键的聚合物、自由基捕获剂、以及溶剂。上述自由基捕获剂优选为具有环结构或硫醚结构的化合物。上述环结构优选为碳原子数6～40的芳香环结构或2,2,6,6‑四甲基哌啶结构。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117908332 A (43)申请公布日 2024.04.19 (21)申请号 202410140541.8 (51)Int.Cl . G03F 7/027 (2006.01) (22)申请日 2020.02.13 G03F 7/031 (2006.01) (30)优先权数据 G03F 7/11 (2006.01) 2019-024794 2019.02.14 JP G03F 7/20 (2006.01) 2019-075868 2019.04.11 JP G03F 7/32 (2006.01) (62)分案原申请数据 G03F 7/38 (2006.01) 202080012493.4 2020.02.13 (71)申请人 日产化学株式会社 地址 日本 (72)发明人 上林哲　远藤贵文　桥本雄人　 远藤勇树　岸冈高广　坂本力丸　 (74)专利代理机构 北京市中咨律师事务所 11247 专利代理师 孙丽梅　段承恩

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