半导体存储器及其操作方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112599173 A (43)申请公布日 2021.04.02 (21)申请号 202010553079.6 (22)申请日 2020.06.17 (30)优先权数据 10-2019-0122538 2019.10.02 KR (71)申请人 爱思开海力士有限公司 地址 韩国京畿道 (72)发明人 徐文植　 (74)专利代理机构 北京市金杜律师事务所 11256 代理人 崔卿虎 (51)Int.Cl. G11C 16/14(2006.01) G11C 16/08(2006.01) G11C 16/04(2006.01) 权利要求书2页 说明书11页 附图12页 (54)发明名称 半导体存储器及其操作方法 (57)摘要 提供了半导体存储器及其操作方法。一种半 导体存储器包括：存储器块，包括多个页；外围电 路，用于在对存储器块的写入操作中对存储器块 执行第一擦除操作、编程操作和第二擦除操作； 以及控制逻辑，用于控制外围电路以执行写入操 作。控制逻辑被配置为控制外围电路以在第一擦 除操作中，将存储器块中包括的多个存储器单元 擦除到具有比目标擦除状态的阈值电压更高的 阈值电压的预擦除状态，并且控制外围电路以在 第二擦除操作中，将多个存储器单元之中的一些 存储器单元擦除到目标擦除状态。 A 3 7 1 9 9