一种准周期微纳结构的图案化制备方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116639646 A (43)申请公布日 2023.08.25 (21)申请号 202310601477.4 (22)申请日 2023.05.25 (71)申请人 西安交通大学 地址 710049 陕西省西安市碑林区咸宁西 路28号 (72)发明人 王莉　裴跃琛　罗钰　冯学明　 (74)专利代理机构 西安通大专利代理有限责任 公司 61200 专利代理师 李红霖 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图1页 (54)发明名称 一种准周期微纳结构的图案化制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种准周期微纳结构的图案 化制备方法，包括以下步骤：1)在基底上制备光 刻胶薄膜，再通过光刻工艺制作图案化光刻胶薄 膜；2)在经步骤1)处理后的基底上沉积带有图形 化光刻胶的导电薄膜，然后去除光刻胶，得带有 图形化导电薄膜；3)在具有带有图形化导电薄膜 的基底上沉积可溶性材料层，风干后，得可溶性 材料薄膜；4)将带有图形化导电薄膜接地或连接 于与静电雾化电压相反的偏压，然后通过电雾化 可溶性材料薄膜对应的溶剂，在可溶性材料薄膜 的表面沉积微纳尺度液滴，形成具有图案化准周 期微纳结构的薄膜，该方法能够实现大面积图案 A 化制造的准周期微纳结构，且具有工艺简单、成 6 本低的特点。 4 6 9 3 6 6 1 1 N C CN 116639646 A