微机电系统器件及其形成方法
- 申请专利号:CN202010332779.2
- 公开(公告)日:2024-08-27
- 公开(公告)号:CN113247855A
- 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司
专利内容
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113247855 A (43)申请公布日 2021.08.13 (21)申请号 202010332779.2 (22)申请日 2020.04.24 (30)优先权数据 16/784,451 2020.02.07 US (71)申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 地址 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力 行六路八号 (72)发明人 张贵松 郑钧文 林宏桦 安泰邦 (74)专利代理机构 南京正联知识产权代理有限 公司 32243 代理人 顾伯兴 (51)Int.Cl. B81B 7/00(2006.01) B81B 7/02(2006.01) B81C 3/00(2006.01) 权利要求书2页 说明书19页 附图32页 (54)发明名称 微机电系统器件及其形成方法 (57)摘要 提供微机电系统支撑结构及顶盖结构。在微 机电系统支撑结构或者顶盖结构的部分中形成 至少一个垂直延伸沟槽。在至少一个垂直延伸沟 槽中的每一者中形成垂直延伸出气材料部分,垂 直延伸出气材料部分具有在实体上暴露于相应 的垂直延伸空腔的表面。将基质材料层贴合到微 机电系统支撑结构。通过将基质材料层图案化来 形成在侧向上限定在基质层内的可移动元件。将 基质层结合到顶盖结构。形成包含可移动元件的 密封腔