一种基于碳纳米管插入层减弱金属/锗费米能级钉扎效应的异质结及其制作方法2023

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116845095 A (43)申请公布日 2023.10.03 (21)申请号 202210295705.5 (22)申请日 2022.03.23 (71)申请人 中国科学院金属研究所 地址 110016 辽宁省沈阳市沈河区文化路 72号 (72)发明人 刘驰　魏玉宁　孙东明　成会明　 (74)专利代理机构 沈阳优普达知识产权代理事 务所(特殊普通合伙) 21234 专利代理师 张志伟 (51)Int.Cl. H01L 29/47 (2006.01) H01L 29/40 (2006.01) H01L 29/16 (2006.01) H01L 29/78 (2006.01) 权利要求书2页 说明书7页 附图8页 (54)发明名称 一种基于碳纳米管插入层减弱金属/锗费米 能级钉扎效应的异质结及其制作方法 (57)摘要 本发明涉及新型半导体器件的研发与应用 领域 ，具体为一种基于碳纳米管插入层减弱金 属/锗费米能级钉扎效应的异质结及其制作方 法。该异质结是由顶部金属电极、碳纳米管薄膜 插入层、锗衬底组成，锗衬底的顶部依次设置碳 纳米管薄膜插入层和顶部金属电极，与碳纳米管 薄膜插入层接触的顶部金属电极为铝/钛/金自 下而上的叠层复合结构。本发明采用插入导电碳 纳米管薄膜层的方法来缓解费米能级钉扎效应， 网状的碳纳米管导电层有助于消除肖特基势垒 高度，而且不会引入较大电阻 ，从而使金属与轻 A