利用感应耦合等离子干法刻蚀提高摩擦电输出性能的方法
- 申请专利号:CN202210449601.5
- 公开(公告)日:2022-07-29
- 公开(公告)号:CN114804016A
- 申请人:浙江大学
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114804016 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210449601.5 (22)申请日 2022.04.26 (71)申请人 浙江大学 地址 310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘 路866号 (72)发明人 应义斌 代淑芬 李逊甲 平建峰 (74)专利代理机构 杭州求是专利事务所有限公 司 33200 专利代理师 林超 (51)Int.Cl. B82B 3/00 (2006.01) B82Y 30/00 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) H02N 1/04 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图8页 (54)发明名称 利用感应耦合等离子干法刻蚀提高摩擦电 输出性能的方法 (57)摘要 本发明公开了一种利用感应耦合等离子干 法刻蚀提高摩擦电输出性能的方法。用感应耦合 等离子体干法刻蚀仪对膜的上表面进行刻蚀处 理,使得在膜的上表面形成纳米纹理化结构;再 用感应耦合等离子体刻蚀仪对膜的上表面进行 沉积处理,使得在纳米纹理化结构上表面沉积一 层氟碳层。本发明是通过感应耦合等离子体干法 刻蚀处理法,在PVC薄膜表面构建纳米纹理结构 以及覆盖一层氟碳物质,提高薄膜的摩擦电输出 性能。 A 6 1 0 4 0 8 4 1 1 N C CN 114804016 A 权