一种硒鼓导电结构

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 218647308 U (45)授权公告日 2023.03.17 (21)申请号 202223252658.0 (22)申请日 2022.12.02 (73)专利权人 中山鼎好科技有限公司 地址 528463 广东省中山市三乡镇茅湾村 沿湾街3号3楼 (72)发明人 刘志强　符建南　 (74)专利代理机构 中山市铭洋专利商标事务所 (普通合伙) 44286 专利代理师 苏家维 (51)Int.Cl. G03G 15/02 (2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图11页 (54)实用新型名称 一种硒鼓导电结构 (57)摘要 本实用新型公开一种硒鼓导电结构，包括硒 鼓壳体以及安装在所述硒鼓壳体内的充电辊，在 所述充电辊的一端贴合连接有导电片，所述硒鼓 壳体上设有向上凸起的安装块，所述导电片由依 次连接的第一连接段、第二连接段以及第三连接 段组成，所述第一连接段可拆卸连接在所述安装 块的外侧壁面上，所述第二连接段贴合在所述安 装块的上端面上，所述第三连接段设置在所述安 装块内侧的硒鼓壳体内，所述充电辊的一端压触 在所述第三连接段的上端面上。本实用新型的导 电片以第二连接段为受力点、一端可拆卸安装在 安装块的外侧、另一端通过充电辊压触在上端面 U 实现固定。本实用新型不仅整体结构简单且合 8 理，而且在组装时便于操作，在稳定性方面能满 0 3 7 足长期使用所需。 4 6 8 1 2 N C CN 2