发明

光学防伪元件、防伪产品和光学防伪元件的制作方法

2023-05-15 10:43:25 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202111335319.6
  • 公开(公告)日:2024-11-29
  • 公开(公告)号:CN116100979A
  • 申请人:中钞特种防伪科技有限公司|||中国印钞造币集团有限公司
摘要:本发明提供了一种光学防伪元件、防伪产品和光学防伪元件的制作方法。光学防伪元件,包括基底层和光学层,光学层设置在基底层的一侧并与基底层连接,光学层包括微结构层,微结构层包括:第一区域,第一区域具有多个第一微结构;第二区域,第二区域具有多个第二微结构,从光学防伪元件的一侧观察,第一区域具有白色特征,第二区域具有干涉光学变色特征,第二微结构的比体积大于第一微结构的比体积。本发明解决了现有技术中光学防伪元件存在防伪性能差的问题。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116100979 A (43)申请公布日 2023.05.12 (21)申请号 202111335319.6 B42D 25/40 (2014.01) B42D 25/324 (2014.01) (22)申请日 2021.11.11 (71)申请人 中钞特种防伪科技有限公司 地址 100070 北京市丰台区科学城星火路6 号 申请人 中国印钞造币集团有限公司 (72)发明人 胡春华 李欣毅 吴远启 叶东  (74)专利代理机构 北京康信知识产权代理有限 责任公司 11240 专利代理师 唐振北 (51)Int.Cl. B42D 25/30 (2014.01) B42D 25/328 (2014.01) B42D 25/36 (2014.01) B42D 25/373 (2014.01) 权利要求书2页 说明书9页 附图2页 (54)发明名称 光学防伪元件、防伪产品和光学防伪元件的 制作方法 (57)摘要 本发明提供了一种光学防伪元件、防伪产品 和光学防伪元件的制作方法。光学防伪元件,包 括基底层和光学层,光学层设置在基底层的一侧 并与基底层连接,光学层包括微结构层,微结构 层包括 :第一区域,第一区域具有多个第一微结 构;第二区域,第二区域具有

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