光掩模结构、其制造方法及使用其的半导体制造方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112415849 A (43)申请公布日 2021.02.26 (21)申请号 202010357202.7 H01L 21/335(2006.01) (22)申请日 2020.04.29 (30)优先权数据 16/548,876 2019.08.23 US (71)申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 地址 中国台湾新竹市新竹科学工业园力行 六路8号 (72)发明人 林政旻　张浩铭　陈志明　黄崇洋　 (74)专利代理机构 北京律盟知识产权代理有限 责任公司 11287 代理人 李春秀 (51)Int.Cl. G03F 1/84(2012.01) G03F 1/72(2012.01) H01L 21/027(2006.01) 权利要求书1页 说明书15页 附图28页 (54)发明名称 光掩模结构、其制造方法及使用其的半导体 制造方法 (57)摘要 本发明实施涉及光掩模结构、其制造方法及 使用其的半导体制造方法。本发明实施例提供一 种用于制造光掩模的方法。方法包含若干操作。 接收具有芯片区域及相邻于芯片区域的外围区 域的光掩模衬底。在外围区域中通过发射第一辐 射照射来形成参考图案且通过发射多个第二辐 射照射来形成第一β图案。沿第一方