光刻掩模组件及其制造方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113805426 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202110312358.8 (22)申请日 2021.03.24 (30)优先权数据 17/007,920 2020.08.31 US (71)申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 地址 中国台湾新竹 (72)发明人 陆埼达　涂志强　林政旻　陈庆跃　 胡威仲　许廷彰　陈昱彤　 (74)专利代理机构 北京德恒律治知识产权代理 有限公司 11409 代理人 章社杲　李伟 (51)Int.Cl. G03F 1/24 (2012.01) 权利要求书2页 说明书10页 附图12页 (54)发明名称 光刻掩模组件及其制造方法 (57)摘要 根据本发明的光刻掩模组件随附光刻掩模。 该光刻掩模包括在衬底上方的覆盖层和设置在 覆盖层上方的吸收层。该吸收层包括第一主部件 区域、第二主部件区域，以及设置在第一主部件 区域与第二主部件区域之间的通风部件区域。该 通风部件区域包括多个通风部件。本申请的实施 例还涉及制造光刻掩模组件的方法。 A 6 2 4 5 0 8 3 1 1 N C CN 113805426 A 权　利　要　求　书 1/2页 1.一种光刻掩模组件，包括： 光刻掩模组，所述光刻掩模组包括： 覆盖层，