MEMS热电堆红外传感器及制备方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113428833 A (43)申请公布日 2021.09.24 (21)申请号 202110814837.X (22)申请日 2021.07.19 (71)申请人 瑶芯微电子科技（上海）有限公司 地址 201207 上海市浦东新区中国（上海） 自由贸易试验区蔡伦路1690号3幢 405、416室 (72)发明人 吕婷　 (74)专利代理机构 上海光华专利事务所(普通 合伙) 31219 代理人 卢炳琼 (51)Int.Cl. B81B 7/02 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01) 权利要求书2页 说明书7页 附图4页 (54)发明名称 MEMS热电堆红外传感器及制备方法 (57)摘要 本发明提供一种MEMS热电堆红外传感器及 制备方法，其中，位于上层的第二半导体层具有 贯穿第二半导体层的第一刻蚀窗口，红外吸收层 具有贯穿红外吸收层的第二刻蚀窗口，且位于冷 结端的第一半导体层及第二半导体层的相对两 面均与绝缘介质层相接触，位于热结端的第一半 导体层与第二半导体层之间具有第一空腔，位于 热结端的第二半导体层与红外吸收层之间具有 第二空腔，且第一刻蚀窗口、第一空腔、第二刻蚀 窗口及第二空腔相贯通。本发明仅保留冷结端的 绝缘介质层，可减少导热横截面积，降低热结热 量损耗，有效提高传感器的灵敏度，且在形成红 A 外吸收层时可形成支撑部以对热电偶起到支撑 3 作用，