掩模坯、相移掩模、掩模坯的制法及相移掩模的制法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113406856 A (43)申请公布日 2021.09.17 (21)申请号 202110268167.6 (22)申请日 2021.03.12 (30)优先权数据 2020-045367 2020.03.16 JP (71)申请人 爱发科成膜株式会社 地址 日本崎玉县 (72)发明人 诸沢成浩　 (74)专利代理机构 北京德琦知识产权代理有限 公司 11018 代理人 辛雪花　周艳玲 (51)Int.Cl. G03F 1/26 (2012.01) G03F 1/80 (2012.01) 权利要求书2页 说明书18页 附图6页 (54)发明名称 掩模坯、相移掩模、掩模坯的制法及相移掩 模的制法 (57)摘要 本发明涉及一种掩模坯、相移掩模、掩模坯 的制法及相移掩模的制法。本发明的掩模坯为具 有成为相移掩模的层的掩模坯。掩模坯具有：相 移层，层叠于透明基板；蚀刻停止层，设置在比所 述相移层更远离所述透明基板的位置上；和遮光 层，设置在比所述蚀刻停止层更远离所述透明基 板的位置上。所述相移层含有铬。所述遮光层含 有铬和氧。所述蚀刻停止层含有硅化钼和氮，并 且在膜厚方向上靠近所述遮光层的位置上具有 氮浓度达到峰值的峰值区域。 A 6 5 8 6 0 4 3 1 1 N C CN 113406856 A 权　利　要　求　书