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发明

一种SiCf/SiC复合材料用纳米掺杂Ti3SiC2界面涂层及其制备方法2024

2023-10-31 07:21:32 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202310844334.6
  • 公开（公告）日：2024-10-22
  • 公开（公告）号：CN116947498A
  • 申请人：华侨大学
摘要：本发明属于复合材料技术领域，具体公开了一种SiCf/SiC复合材料用纳米掺杂Ti3SiC2界面涂层及其制备方法，其中制备方法包括Ti3SiC2原料预处理、备用Ti3SiC2浆料制备、碳化硅纤维预处理、浸渍沉积、复合材料制备。本发明采用高速气流粉碎配合高能球磨、超声剥离处理使Ti3SiC2颗粒比单纯的球磨处理平均粒度更小且分布均匀。本发明的方法重复性好，对设备要求低，适用于大尺寸构件的大批量生产，同时能确保Ti3SiC2界面致密均匀孔隙少，Ti3SiC2纯度高，界面厚度可调控。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116947498 A (43)申请公布日 2023.10.27 (21)申请号 202310844334.6 (22)申请日 2023.07.11 (71)申请人 华侨大学 地址 362000 福建省泉州市丰泽区城东城 华北路269号 (72)发明人 刘勇军　吴叔芳　陈嘉兴　 (74)专利代理机构 厦门市首创君合专利事务所 有限公司 35204 专利代理师 游学明 (51)Int.Cl. C04B 35/565 (2006.01) C04B 35/80 (2006.01) C04B 35/628 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图1页 (54)发明名称 一种SiC /SiC复合材料用纳米掺杂Ti SiC f 3 2 界面涂层及其制备方法 (57)摘要 本发明属于复合材料技术领域，具体公开了 一种SiC /SiC复合材料用纳米掺杂Ti SiC 界面 f 3 2 涂层及其制备方法，其中制备方法包括Ti SiC 3 2 原料预处理、备用Ti SiC 浆料制备、碳化硅纤维 3 2 预处理、浸渍沉积、复合材料制备。本发明采用高

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