一种金属辅助氧化镓结晶薄膜及其制备方法
- 申请专利号:CN202111652029.4
- 公开(公告)日:2024-07-02
- 公开(公告)号:CN114438449A
- 申请人:中国科学院宁波材料技术与工程研究所
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114438449 A (43)申请公布日 2022.05.06 (21)申请号 202111652029.4 (22)申请日 2021.12.30 (71)申请人 中国科学院宁波材料技术与工程研 究所 地址 315201 浙江省宁波市镇海区中官西 路1219号 (72)发明人 曹鸿涛 裴郁 梁凌燕 (74)专利代理机构 杭州天勤知识产权代理有限 公司 33224 专利代理师 刘诚午 (51)Int.Cl. C23C 14/08 (2006.01) C23C 14/18 (2006.01) C23C 14/58 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图2页 (54)发明名称 一种金属辅助氧化镓结晶薄膜及其制备方 法 (57)摘要 本发明公开了一种金属辅助氧化镓结晶薄 膜的制备方法,包括在衬底表面真空沉积一层氧 化镓薄膜;在氧化镓薄膜表面沉积一层金属结晶 辅助层,所述金属结晶辅助层的材料为锌、铟或 钛;对沉积结晶辅助层的氧化镓薄膜进行退火处 理得到金属辅助氧化镓薄膜,其中,退火温度为 400‑700℃。该方法可以在较低退火温度下制备 出具有较高致密度和较少缺陷态的氧化镓薄膜 样品。本发明还提供了金属辅助氧化镓结晶薄膜 的制备方法制备金属辅助氧化镓结晶薄膜。 A 9 4 4 8 3 4 4 1 1 N C CN 114438449 A