发明

一种金属辅助氧化镓结晶薄膜及其制备方法

2023-05-09 11:27:02 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202111652029.4
  • 公开(公告)日:2024-07-02
  • 公开(公告)号:CN114438449A
  • 申请人:中国科学院宁波材料技术与工程研究所
摘要:本发明公开了一种金属辅助氧化镓结晶薄膜的制备方法,包括在衬底表面真空沉积一层氧化镓薄膜;在氧化镓薄膜表面沉积一层金属结晶辅助层,所述金属结晶辅助层的材料为锌、铟或钛;对沉积结晶辅助层的氧化镓薄膜进行退火处理得到金属辅助氧化镓薄膜,其中,退火温度为400‑700℃。该方法可以在较低退火温度下制备出具有较高致密度和较少缺陷态的氧化镓薄膜样品。本发明还提供了金属辅助氧化镓结晶薄膜的制备方法制备金属辅助氧化镓结晶薄膜。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114438449 A (43)申请公布日 2022.05.06 (21)申请号 202111652029.4 (22)申请日 2021.12.30 (71)申请人 中国科学院宁波材料技术与工程研 究所 地址 315201 浙江省宁波市镇海区中官西 路1219号 (72)发明人 曹鸿涛 裴郁 梁凌燕  (74)专利代理机构 杭州天勤知识产权代理有限 公司 33224 专利代理师 刘诚午 (51)Int.Cl. C23C 14/08 (2006.01) C23C 14/18 (2006.01) C23C 14/58 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图2页 (54)发明名称 一种金属辅助氧化镓结晶薄膜及其制备方 法 (57)摘要 本发明公开了一种金属辅助氧化镓结晶薄 膜的制备方法,包括在衬底表面真空沉积一层氧 化镓薄膜;在氧化镓薄膜表面沉积一层金属结晶 辅助层,所述金属结晶辅助层的材料为锌、铟或 钛;对沉积结晶辅助层的氧化镓薄膜进行退火处 理得到金属辅助氧化镓薄膜,其中,退火温度为 400‑700℃。该方法可以在较低退火温度下制备 出具有较高致密度和较少缺陷态的氧化镓薄膜 样品。本发明还提供了金属辅助氧化镓结晶薄膜 的制备方法制备金属辅助氧化镓结晶薄膜。 A 9 4 4 8 3 4 4 1 1 N C CN 114438449 A

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