一种低温烧结超低磁导率NiCuZn材料及其制备方法2024
- 申请专利号:CN202410299574.7
- 公开(公告)日:2024-10-22
- 公开(公告)号:CN118084475A
- 申请人:中山市东晨磁性电子制品有限公司
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 118084475 A (43)申请公布日 2024.05.28 (21)申请号 202410299574.7 (22)申请日 2024.03.15 (71)申请人 中山市东晨磁性电子制品有限公司 地址 528429 广东省中山市黄圃镇团范工 业区(增设一处经营场所,具体为:中 山市黄圃镇马新工业区盛凯路1号A栋 厂房四楼之二)(一照多址) (72)发明人 陈旭彬 (74)专利代理机构 深圳维启专利代理有限公司 44827 专利代理师 邓俊勇 (51)Int.Cl. C04B 35/30 (2006.01) C04B 35/622 (2006.01) C04B 35/40 (2006.01) 权利要求书1页 说明书13页 附图1页 (54)发明名称 一种低温烧结超低磁导率NiCuZn材料及其 制备方法 (57)摘要 本申请涉及软磁铁氧体材料技术领域,本申 请公开了一种低温烧结超低磁导率NiCuZn材料 及其制备方法。一种低温烧结超低磁导率NiCuZn 材料,包括主成分和添加剂;所述主成分包括以 下摩尔百分比原料:Fe O 40 .0‑48 .0% ,ZnO1‑ 2 3 10%,NiO35‑45%,余量为CuO;以所述主成分的重 量为计算基准,所述添加剂包括以下质量百分比 原料:SiO 1.0‑5.0%、Ca