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发明

一种低温烧结超低磁导率NiCuZn材料及其制备方法2024

2024-06-01 08:02:56 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202410299574.7
  • 公开（公告）日：2024-10-22
  • 公开（公告）号：CN118084475A
  • 申请人：中山市东晨磁性电子制品有限公司
摘要：本申请涉及软磁铁氧体材料技术领域，本申请公开了一种低温烧结超低磁导率NiCuZn材料及其制备方法。一种低温烧结超低磁导率NiCuZn材料，包括主成分和添加剂；所述主成分包括以下摩尔百分比原料：Fe2O340.0‑48.0%，ZnO1‑10%，NiO35‑45%，余量为CuO；以所述主成分的重量为计算基准，所述添加剂包括以下质量百分比原料：SiO21.0‑5.0%、CaCO31.5‑7.5%、WO30.5‑1.5%和Bi2O30.1‑0.5%中一种或多种。本申请通过独特的成分以及配比设计和添加剂的选用，制备得到的NiCuZn铁氧体材料具有优异的电流饱和性能以及超低的磁导率、优异的机械强度和高频阻抗性能，同时在高频中具有较高的Q值，有效降低了磁损耗。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 118084475 A (43)申请公布日 2024.05.28 (21)申请号 202410299574.7 (22)申请日 2024.03.15 (71)申请人 中山市东晨磁性电子制品有限公司 地址 528429 广东省中山市黄圃镇团范工 业区（增设一处经营场所，具体为：中 山市黄圃镇马新工业区盛凯路1号A栋 厂房四楼之二）（一照多址） (72)发明人 陈旭彬　 (74)专利代理机构 深圳维启专利代理有限公司 44827 专利代理师 邓俊勇 (51)Int.Cl. C04B 35/30 (2006.01) C04B 35/622 (2006.01) C04B 35/40 (2006.01) 权利要求书1页 说明书13页 附图1页 (54)发明名称 一种低温烧结超低磁导率NiCuZn材料及其 制备方法 (57)摘要 本申请涉及软磁铁氧体材料技术领域，本申 请公开了一种低温烧结超低磁导率NiCuZn材料 及其制备方法。一种低温烧结超低磁导率NiCuZn 材料，包括主成分和添加剂；所述主成分包括以 下摩尔百分比原料：Fe O 40 .0‑48 .0% ，ZnO1‑ 2 3 10%，NiO35‑45%，余量为CuO；以所述主成分的重 量为计算基准，所述添加剂包括以下质量百分比 原料：SiO 1.0‑5.0%、Ca

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