非易失性存储器的试错表的生成方法及装置

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112331254 A (43)申请公布日 2021.02.05 (21)申请号 202011331608.4 (22)申请日 2020.11.24 (71)申请人 北京泽石科技有限公司 地址 100085 北京市海淀区上地东路1号院 1号楼2层203-1室 申请人 泽石科技（武汉）有限公司 (72)发明人 程威　占志刚　 (74)专利代理机构 北京康信知识产权代理有限 责任公司 11240 代理人 董文倩 (51)Int.Cl. G11C 29/42 (2006.01) G06K 9/62 (2006.01) 权利要求书2页 说明书8页 附图1页 (54)发明名称 非易失性存储器的试错表的生成方法及装 置 (57)摘要 本申请公开了一种非易失性存储器的试错 表的生成方法及装置。其中，该方法包括：获取导 致非易失性存储器的读数据出错的环境变量；确 定环境变量的定量描述数值，定量描述数值用于 通过精确的数据描述环境变量；分别在不同的环 境变量的定量描述数值下，读取非易失性存储器 的数据；依据从非易失性存储器读取的数据生成 非易失性存储器的试错表。本申请解决了当读 Nand flash出现UECC时，利用nand flash厂家提 供的固定试错表(retry table)纠正读出错的数 据，导致纠错效率较低，而且厂家提供的固定试 A 错表覆盖的使用场景较少的技术问题。 4 5 2 1