PCT发明

用于通过PECVD进行Si间隙填充的方法

2023-05-28 12:52:24 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN201980023731.9
  • 公开(公告)日:2025-04-11
  • 公开(公告)号:CN112335032A
  • 申请人:应用材料公司
摘要:本公开的实施例涉及用于填充沟槽的工艺。所述工艺包括在层的表面上沉积第一非晶硅层,并在所述层中形成的沟槽的一部分中沉积第二非晶硅层,并且所述沟槽的侧壁的部分是暴露的。去除所述第一非晶硅层。所述工艺进一步包括在所述层的所述表面上沉积第三非晶硅层,并在所述第二非晶硅层上沉积第四非晶硅层。去除所述第三非晶硅层。可重复沉积/去除循环工艺,直到所述沟槽被非晶硅层填充为止。由于所述非晶硅层是自下而上形成的,因此所述非晶硅层在所述沟槽中形成无缝非晶硅间隙填充。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112335032 A (43)申请公布日 2021.02.05 (21)申请号 201980023731.9 (74)专利代理机构 上海专利商标事务所有限公 司 31100 (22)申请日 2019.03.07 代理人 侯颖媖 张鑫 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 62/640,853 2018.03.09 US H01L 21/768 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 H01L 21/02 (2006.01) 2020.09.29 H01L 21/3065 (2006.01) (86)PCT国际申请的申请数据 H01L 21/311 (2006.01) PCT/US2019/021205 2019.03.07 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2019/173624 EN 2019.09.12 (7

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