用于GaN开关的时间可编程失效安全下拉电路

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113098469 A (43)申请公布日 2021.07.09 (21)申请号 202110022024.7 (22)申请日 2021.01.08 (30)优先权数据 16/736896 2020.01.08 US (71)申请人 英飞凌科技奥地利有限公司 地址 奥地利菲拉赫西门子大街2号 (72)发明人 K ·K ·里昂　P ·纳茨金　 (74)专利代理机构 中国专利代理(香港)有限公 司 72001 代理人 刘茜璐　周学斌 (51)Int.Cl. H03K 17/567 (2006.01) 权利要求书3页 说明书12页 附图10页 (54)发明名称 用于GaN开关的时间可编程失效安全下拉电 路 (57)摘要 提供了用于在不以导通控制信号驱动栅极 注入晶体管（GIT）的栅极时将常关断GIT等可靠 地维持在非传导状态的电路和器件。这是使用耦 接到GIT的栅极的失效安全下拉来实现的。失效 安全下拉包括电阻调制电路，其改变GIT的有效 栅极电阻，使得在GIT的导通转变之后立即在某 一间隔内提供低电阻，从而有利于高电流脉冲对 GIT的栅极充电。随后，提供高电阻，使得驱动低 得多的电流以将GIT维持在其导通状态。失效安 全下拉使得能够利用相对简单的驱动器来驱动 GIT等，该相对简单的驱动器可以设置在功率开 A 关器件的外部或者与功率开关集成在同一管芯 9 中。 6 4 8 9 0 3 1 1 N C