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PCT发明

用于在基板上形成膜的蒸发器腔室

2023-04-27 12:58:15 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202080052387.9
  • 公开（公告）日：2024-06-11
  • 公开（公告）号：CN114144540A
  • 申请人：应用材料公司
摘要：本文所述的一个或多个实施方式一般涉及在半导体处理中用于在基板上形成膜的方法和系统。在本文所述的多个实施方式中，提供一种处理腔室，包括盖板，具有形成于盖板中的多个冷却通道；基座，具有形成于基座中的多个冷却通道；和喷淋头，其中喷淋头包含多个区段，并且各个区段至少部分被屏蔽物环绕。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114144540 A (43)申请公布日 2022.03.04 (21)申请号 202080052387.9 (74)专利代理机构 北京律诚同业知识产权代理 有限公司 11006 (22)申请日 2020.07.08 代理人 徐金国　赵静 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 62/878,918 2019.07.26 US C23C 14/24 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 C23C 14/12 (2006.01) 2022.01.19 C23C 14/50 (2006.01) (86)PCT国际申请的申请数据 H01L 51/56 (2006.01) PCT/US2020/041155 2020.07.08 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2021/021403 EN 2021.02.04 (71)

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