一种应用于升华法生长碳化硅单晶的坩埚装置

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115838963 A (43)申请公布日 2023.03.24 (21)申请号 202211716479.X (22)申请日 2022.12.30 (71)申请人 浙江晶越半导体有限公司 地址 312400 浙江省绍兴市嵊州市浦口街 道浦南大道368号9号厂房二楼202室 (72)发明人 高冰　叶宏亮　李俊　 (74)专利代理机构 浙江金杜智源知识产权代理 有限公司 33511 专利代理师 蒋力 (51)Int.Cl. C30B 23/00 (2006.01) C30B 29/36 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图4页 (54)发明名称 一种应用于升华法生长碳化硅单晶的坩埚 装置 (57)摘要 本发明涉及单晶制备技术领域，具体公开一 种应用于升华法生长碳化硅单晶的坩埚装置，包 括坩埚部件，旋转部件，多孔石墨部件和导流部 件，坩埚内含收纳空间和导流空间。坩埚部件包 含坩埚顶壁、坩埚侧壁、坩埚底壁和坩埚内壁。坩 埚内壁和坩埚侧壁之间的空间为第一收纳空间， 第一收纳空间内收纳碳化硅原料粉源；坩埚内壁 下方布置有第二导流部件，其外壁之间构成扩口 空间；第二导流部件下方布置第三导流部件，第 三导流部件外壁之间构成导流空间，该导流空间 顶部装置有多孔石墨部件，该导流空间的底部装 A 置有籽晶。该坩埚装置能减小重力等因素对单晶 3 生长的影响，能减少晶体生长过程中的碳包裹 6 9 8 物，有利于提高晶