一种MOS工艺的功率放大器装置及系统

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112234947 A (43)申请公布日 2021.01.15 (21)申请号 202011002300.5 (22)申请日 2020.09.22 (71)申请人 广州海格通信集团股份有限公司 地址 510000 广东省广州市高新技术产业 开发区科学城海云路88号 申请人 广州润芯信息技术有限公司 (72)发明人 胡鹏　周伶俐　王日炎　何俊良　 张芳芳　钟世广　 (74)专利代理机构 广州市越秀区哲力专利商标 事务所(普通合伙) 44288 代理人 孙柳 (51)Int.Cl. H03F 3/189 (2006.01) H03F 1/02 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图2页 (54)发明名称 一种MOS工艺的功率放大器装置及系统 (57)摘要 本发明公开了一种MOS工艺的功率放大器装 置，所述功率放大器装置包括主放大器和截断波 产生器，其中，主放大器的输入端输入外部输入 信号、输出端输出经过主放大器放大后的第一输 出信号；主放大器的输入端与截断波产生器的输 入端连接、输出端与截断波产生器的输出端连 接；所述截断波产生器，用于根据系统发送的控 制信号生成截断波信号，从而使得所述截断波信 号中的干扰成分与第一输出信号的干扰成分抵 消后输出到负载设备，进而提高功率放大器的 OIP3指标。本发明具有结构简单、功耗低等特点。 本发明还提供了一种MOS工艺的