碳掺杂单晶硅晶圆及其制造方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112176414 A (43)申请公布日 2021.01.05 (21)申请号 202010617597.X (22)申请日 2020.06.30 (30)优先权数据 2019-123820 2019.07.02 JP (71)申请人 信越半导体株式会社 地址 日本东京都 (72)发明人 曲伟峰　井川静男　砂川健　 (74)专利代理机构 北京路浩知识产权代理有限 公司 11002 代理人 张晶　谢顺星 (51)Int.Cl. C30B 33/02 (2006.01) C30B 31/06 (2006.01) C30B 29/06 (2006.01) H01L 21/324 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图3页 (54)发明名称 碳掺杂单晶硅晶圆及其制造方法 (57)摘要 本发明提供一种碳掺杂单晶硅晶圆的制造 方法，该方法具有以下工序：准备未进行碳掺杂 的单晶硅晶圆的工序；在包含含碳原子化合物气 体的氛围下，对所述单晶硅晶圆进行第一RTA处 理的工序；及以高于所述第一RTA处理的温度，进 行接着所述第一RTA处理的第二RTA处理的工序， 通过所述第一及第二RTA处理，对所述单晶硅晶 圆注入空位并同时掺杂碳，将由所述单晶硅的表 面至深0 .1μm的范围内的碳浓度设为1 × 17 3 10 atoms/cm 以上。由此，提供一种通过使