一种电阻可调节的碳化硅多孔陶瓷及其制备方法2025

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117776728 A (43)申请公布日 2024.03.29 (21)申请号 202311805339.4 (22)申请日 2023.12.26 (71)申请人 中国科学院上海硅酸盐研究所 地址 200050 上海市长宁区定西路1295号 (72)发明人 刘桂玲　万鑫　刘学建　杨金晶　 陈忠明　黄政仁　姚秀敏　刘岩　 (74)专利代理机构 上海瀚桥专利代理事务所 (普通合伙) 31261 专利代理师 曹芳玲　郑优丽 (51)Int.Cl. C04B 35/565 (2006.01) C04B 35/64 (2006.01) C04B 35/622 (2006.01) C04B 38/06 (2006.01) 权利要求书2页 说明书7页 附图5页 (54)发明名称 一种电阻可调节的碳化硅多孔陶瓷及其制 备方法 (57)摘要 本发明涉及一种电阻可调节的碳化硅多孔 陶瓷及其制备方法。所述电阻可调节的碳化硅多 孔陶瓷包括：碳化硅主相、烧结助剂相和连通气 孔相；优选地，所述烧结助剂相为碳化硼相。 A 8 2 7 6 7 7 7 1 1 N C CN 117776728 A 权　利　要　求　书 1/2页 1.一种电阻可调节的碳化硅多孔陶瓷，其特征在于，包括：碳化硅主相、烧结助剂相和 连通气孔