发明

一种碳化硅晶须增韧的陶瓷涂层及其制备方法和应用2024

2024-04-07 07:33:54 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202410041195.8
  • 公开(公告)日:2024-04-05
  • 公开(公告)号:CN117820029A
  • 申请人:之江实验室|||上海大学
摘要:本发明属于陶瓷涂层技术领域,具体涉及一种碳化硅晶须增韧的陶瓷涂层及其制备方法和应用。本发明提供的碳化硅晶须增韧的陶瓷涂层在陶瓷层和基底之间设有SiC晶须穿插的SiC过渡层,SiC晶须可以穿插至基底表面和陶瓷层表面,从而提高陶瓷层与基底之间的结合力,而且过渡层本身分布均匀,能缓解基底与陶瓷层之间热膨胀系数差异产生的影响,使陶瓷层与基底链接紧密,解决传统陶瓷外涂层与基底的结合能力不足且易脱落的问题。本发明所提供的带含碳化硅过渡层(含碳化硅晶须)的陶瓷外防护层可以在超高温下具有紧密结合力,断裂韧性高,不容易脱落。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117820029 A (43)申请公布日 2024.04.05 (21)申请号 202410041195.8 (22)申请日 2024.01.11 (71)申请人 之江实验室 地址 311121 浙江省杭州市余杭区中泰街 道科创大道之江实验室 申请人 上海大学 (72)发明人 甄强 陈晨 李榕 胡志杰  (74)专利代理机构 北京方圆嘉禾知识产权代理 有限公司 11385 专利代理师 朱玲艳 (51)Int.Cl. C04B 41/90 (2006.01) B64C 1/40 (2006.01) 权利要求书1页 说明书8页 附图4页 (54)发明名称 一种碳化硅晶须增韧的陶瓷涂层及其制备 方法和应用 (57)摘要 本发明属于陶瓷涂层技术领域,具体涉及一 种碳化硅晶须增韧的陶瓷涂层及其制备方法和 应用。本发明提供的碳化硅晶须增韧的陶瓷涂层 在陶瓷层和基底之间设有SiC晶须穿插的SiC过 渡层,SiC晶须可以穿插至基底表面和陶瓷层表 面,从而提高陶瓷层与基底之间的结合力,而且 过渡层本身分布均匀,能缓解基底与陶瓷层之间 热膨胀系数差异产生的影响,使陶瓷层与基底链 接紧密,解决传统陶瓷外涂层与基底的结合能力 不足且易脱落的问题。本发明所提供的带含碳化 硅过渡层(含碳化硅晶须)的陶瓷外防护层可以 A 在超高温下具有紧密结合力,断裂韧性高,不容 9 易脱落。 2 0 0 2 8 7 1

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