一种改善晶体生长质量的方法2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 118064959 A (43)申请公布日 2024.05.24 (21)申请号 202410004430.4 (22)申请日 2024.01.03 (71)申请人 乾晶半导体（衢州）有限公司 地址 324000 浙江省衢州市东港八路78号 (72)发明人 罗俊仪　姚秋鹏　杨孝泽　方政　 朱鑫煌　蒋琳　张龙昌　王明华　 (74)专利代理机构 杭州裕阳联合专利代理有限 公司 33289 专利代理师 金方玮 (51)Int.Cl. C30B 11/00 (2006.01) C30B 11/04 (2006.01) C30B 29/36 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图4页 (54)发明名称 一种改善晶体生长质量的方法 (57)摘要 本发明提供了一种改善晶体生长质量的方 法，本发明在整个生长过程中，在碳化硅原料中 按一定比例掺入硼(B)，并控制生长气氛中氮(N) 的浓度呈梯度变化，从而实现氮和硼元素的共 掺，如此可以形成最底层形核区的高掺杂浓度区 到扩径区再过渡到快速生长部分，而快速生长部 分的混合元素浓度满足导电型碳化硅衬底所需 要的性能要求。 A 9 5 9 4 6 0 8 1 1 N C CN 118064959 A 权　利　要　求　书 1/1页 1.一种改善晶体