本征吸杂硅片的制备方法及本征吸杂硅片

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116516458 A (43)申请公布日 2023.08.01 (21)申请号 202310685807.2 (22)申请日 2023.06.09 (71)申请人 中电科先进材料技术创新有限公司 地址 100043 北京市石景山区金府路29号 院5号楼3层304室 (72)发明人 郭艳敏　王楠　赵堃　莫宇　 (74)专利代理机构 石家庄国为知识产权事务所 13120 专利代理师 付晓娣 (51)Int.Cl. C25F 3/12 (2006.01) H01L 21/3063 (2006.01) H01L 29/167 (2006.01) B82Y 30/00 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图2页 (54)发明名称 本征吸杂硅片的制备方法及本征吸杂硅片 (57)摘要 本发明提供一种本征吸杂硅片的制备方法 及本征吸杂硅片，该本征吸杂硅片的制备方法包 括：将P型硅抛光片通过导线与直流电源的正极 连接，将N型硅抛光片通过导线与直流电源的负 极连接；分别将N型硅抛光片和P型硅抛光片浸入 电解液中，并接通直流电源进行电化学腐蚀，在P 型硅抛光片表面制备得到纳米多孔硅层；将制备 有纳米多孔硅层的P型硅抛光片暴露在空气中， 得到本征吸杂硅片。本发明在P型硅抛光片表面 制备纳米多孔硅层，利用纳米多孔硅层的多孔结