发明

一种基于坩埚下降法生长晶体的自动控制装置及控制方法

2023-07-06 10:57:32 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202111054199.2
  • 公开(公告)日:2024-11-19
  • 公开(公告)号:CN113818073A
  • 申请人:河南微米光学科技有限公司
摘要:本发明涉及晶体材料生长领域,具体的涉及一种基于坩埚下降法生长晶体的自动控制装置及控制方法,包括以下步骤:步骤一:将晶体生长的原料放入坩埚中,控制垂直升降机构运行到原始位置;步骤二:通过信息输入器输入晶体生长工艺参数;步骤三:开启自动运行控制器与伺服控制器进行通讯,将相应参数输送到伺服控制器,通过伺服控制器对伺服电机进行控制;步骤四:温度感应器和位移感应器的实时数据被信息采集器实时采集;步骤五:程序运行结束后,待炉体内温度降至室温,通过垂直升降机构调节坩埚在炉体内的位置,将晶体取出。通过自动控制装置及控制方法,晶体生长操作控制更加简单方便、自动化程度高。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113818073 A (43)申请公布日 2021.12.21 (21)申请号 202111054199.2 (22)申请日 2021.09.09 (71)申请人 河南微米光学科技有限公司 地址 464000 河南省信阳市商城县城关镇 轻工业园区100号 (72)发明人 徐悟生 张磊 朱逢锐 徐超  赵丽媛 甄西合  (74)专利代理机构 烟台上禾知识产权代理事务 所(普通合伙) 37234 代理人 孙俊业 (51)Int.Cl. C30B 11/00 (2006.01) 权利要求书2页 说明书9页 附图4页 (54)发明名称 一种基于坩埚下降法生长晶体的自动控制 装置及控制方法 (57)摘要 本发明涉及晶体材料生长领域,具体的涉及 一种基于坩埚下降法生长晶体的自动控制装置 及控制方法,包括以下步骤:步骤一:将晶体生长 的原料放入坩埚中,控制垂直升降机构运行到原 始位置;步骤二:通过信息输入器输入晶体生长 工艺参数;步骤三:开启自动运行控制器与伺服 控制器进行通讯,将相应参数输送到伺服控制 器,通过伺服控制器对伺服电机进行控制;步骤 四:温度感应器和位移感应器的实时数据被信息 采集器实时采集;步骤五:程序运行结束后,待炉 体内温度降至室温,通过垂直升降机构调节坩埚 A 在炉体内的位置,将晶体取出。通过自动控制装 3 置及控制方法,晶体生长操作控制更加简单方 7 0 8 便、自动化程度

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