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发明

无TSV、无基板的多晶片堆叠晶圆级封装结构及方法

2023-06-07 22:10:46 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202211465142.6
  • 公开（公告）日：2023-03-07
  • 公开（公告）号：CN115763390A
  • 申请人：南京真芯润和微电子有限公司
摘要：一种无TSV、无基板的多晶片堆叠晶圆级封装结构，包括塑封料、晶片和重布线层；多颗晶片分为大晶片和小晶片；大晶片正面的焊盘处都有多个高凸点，各个高凸点的顶部与重布线层顶面的对应金属触点连接；大晶片的正面与重布线层之间有间隙，小晶片在间隙内；大晶片的正面和小晶片的正面相对，小晶片正面与大晶片正面的对应焊盘连接；塑封料封住小晶片；大晶片的高凸点的顶端露出于塑封料；重布线层分布在塑封料的顶面；大晶片在重布线层上的投影与重布线层重合，则塑封料的侧面与重布线层的侧面以及大晶片的侧面齐平，构成扇入型封装结构；大晶片在重布线层上的投影在重布线层的范围内，则塑封料的侧面与重布线层的侧面齐平，构成扇出型封装结构。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115763390 A (43)申请公布日 2023.03.07 (21)申请号 202211465142.6 H01L 21/78 (2006.01) H01L 25/065 (2023.01) (22)申请日 2022.11.22 (71)申请人 南京真芯润和微电子有限公司 地址 211806 江苏省南京市浦口区浦口经 济开发区秋韵路33号506 (72)发明人 徐华云　韩明伟　 (74)专利代理机构 南京科阔知识产权代理事务 所(普通合伙) 32400 专利代理师 苏兴建 (51)Int.Cl. H01L 23/31 (2006.01) H01L 23/488 (2006.01) H01L 23/498 (2006.01) H01L 21/56 (2006.01) H01L 21/60 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图6页 (54)发明名称 无TSV、无基板的多晶片堆叠晶圆级封装结 构及方法 (57)摘要 一种无TSV、无基板的多晶片堆叠晶圆级封 装结构，包括塑封料、晶片和重布线层；多颗晶片 分为大晶片和小晶片；大晶片正面的焊盘处都有 多个高凸点，各个高凸点的顶部与重布线层顶面 的对应金属触点连接；大晶片的正面与重布线层 之间

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