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发明

一种基于叠层掩模衬底的衬底剥离方法

2023-05-28 12:38:23 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN201910706403.0
  • 公开（公告）日：2024-12-17
  • 公开（公告）号：CN112301422A
  • 申请人：北京飓芯科技有限公司
摘要：本发明涉及一种基于叠层掩模衬底的衬底剥离方法。该方法包括：1)使用MOCVD技术在三维叠层掩模衬底上生长III族氮化物材料，形成III族氮化物材料薄膜；2)使用HVPE技术在所述连续薄膜上生长III族氮化物材料，形成III族氮化物材料厚膜；3)通过冷却在三维叠层掩模衬底和III族氮化物材料厚膜之间产生应力，从而实现自分离。采用本发明方法，由于与衬底的弱连接性，可以在冷却过程中与衬底自分离，避免了使用激光剥离等昂贵技术，节省了工艺步骤和时间，显著提高了生产良率，提高了产品质量；采用的特制三维叠层掩模衬底能够配合MOCVD生长出高质量的薄膜，进而能够通过HVPE外延出高晶体质量的厚膜。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112301422 A (43)申请公布日 2021.02.02 (21)申请号 201910706403.0 (22)申请日 2019.08.01 (71)申请人 北京飓芯科技有限公司 地址 100190 北京市海淀区中关村大街18 号B座9层909室320号 (72)发明人 张晓蓉　郑烨琳　冯筱　陈明兰　 (74)专利代理机构 北京君尚知识产权代理有限 公司 11200 代理人 邱晓锋 (51)Int.Cl. C30B 25/04(2006.01) C30B 29/40(2006.01) C23C 16/04(2006.01) C23C 16/01(2006.01) C23C 16/34(2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图3页 (54)发明名称 一种基于叠层掩模衬底的衬底剥离方法 (57)摘要 本发明涉及一种基于叠层掩模衬底的衬底 剥离方法。该方法包括：1)使用MOCVD技术在三维 叠层掩模衬底上生长III族氮化物材料，形成III 族氮化物材料薄膜；2)使用HVPE技术在所述连续 薄膜上生长III族氮化物材料，形成III族氮化物 材料厚膜；3)通过冷却在三维叠层掩模衬底和 III族氮化物材料厚膜之间产生应力，从而实现 自分离。采用本发明方法，由于与衬

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