发明

一种二阶非线性光学晶体硼磷酸铝锂及其制备方法和应用

2024-03-17 07:01:48 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202211183159.2
  • 公开(公告)日:2024-03-15
  • 公开(公告)号:CN115522261A
  • 申请人:合肥学院|||安徽佑开科技有限公司
摘要:本发明涉及一种二阶非线性光学晶体硼磷酸铝锂及其制备方法和应用,所述硼磷酸铝锂的化学式为LiAl2B(HPO4)4(OH)2,四方晶系。本发明与现有技术相比,本发明利用低温水热制备方法,以亚磷酸、硼酸、三氧化二铝、氢氧化锂、氟化锂以及去离子水为初始反应原料,反应温度为200‑220℃。该材料结构新型,基本结构单元为BO4四面体、PO4四面体以及AlO6八面体。具有优良的二阶非线性光学性能,其粉末二阶非线性光学效应(SHG)约为0.22倍的KDP,紫外吸收截止边为390nm。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115522261 A (43)申请公布日 2022.12.27 (21)申请号 202211183159.2 (22)申请日 2022.09.27 (71)申请人 合肥学院 地址 230031 安徽省合肥市经开区锦绣大 道99号 申请人 安徽佑开科技有限公司 (72)发明人 郝玉成 姚鹤 李心蕾 李明华  方元文 秦广超 曹雪兰  (74)专利代理机构 深圳市兴科达知识产权代理 有限公司 44260 专利代理师 潘月仙 (51)Int.Cl. C30B 29/14 (2006.01) C30B 7/10 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图3页 (54)发明名称 一种二阶非线性光学晶体硼磷酸铝锂及其 制备方法和应用 (57)摘要 本发明涉及一种二阶非线性光学晶体硼磷 酸铝锂及其制备方法和应用,所述硼磷酸铝锂的 化学式为LiAl B(HPO ) (OH) ,四方晶系。本发明 2 4 4 2 与现有技术相比,本发明利用低温水热制备方 法,以亚磷酸、硼酸、三氧化二铝、氢氧化锂、氟化 锂以及去离子水为初始反应原料,反应温度为 200‑220℃。该材料结构新型,基本结构单元为 BO 四面体、PO 四面体以及AlO 八面体。具有优良 4 4 6 的二阶非线性光学性能,其粉末二阶非线性光学 效应(SHG)约

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