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发明

一种钽铪氧化物复相陶瓷及其制备方法

2023-07-28 07:14:09 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202210049759.3
  • 公开（公告）日：2024-09-24
  • 公开（公告）号：CN116477942A
  • 申请人：中国人民解放军国防科技大学
摘要：本发明公开一种钽铪氧化物复相陶瓷及其制备方法，该复相陶瓷由Hf6Ta2O17和Ta2O5两相组成，Ta2O5的摩尔百分比为30～70％，Hf6Ta2O17和Ta2O5两相通过共格界面结合。钽铪氧化物复相陶瓷中Hf6Ta2O17和Ta2O5两相的单晶通过共格界面结合，与纯相单晶氧化物相比，界面的存在能够有效阻止位错运动，避免高温下力学性能的损失；与多晶氧化物中的晶界结合相比，共格界面处不存在晶间杂质和非晶相，避免了高温下晶界滑移和晶间腐蚀对材料性能的损伤。本发明提供的钽铪氧化物复相陶瓷可应用于航空发动机和火箭发动机等高温部件领域中。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116477942 A (43)申请公布日 2023.07.25 (21)申请号 202210049759.3 (22)申请日 2022.01.17 (71)申请人 中国人民解放军国防科技大学 地址 410073 湖南省长沙市开福区德雅路 109号 (72)发明人 王松　李浩　余艺平　李伟　 (74)专利代理机构 长沙国科天河知识产权代理 有限公司 43225 专利代理师 邱轶 (51)Int.Cl. C04B 35/495 (2006.01) C04B 35/48 (2006.01) C04B 35/622 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图2页 (54)发明名称 一种新型钽铪氧化物复相陶瓷及其制备方 法 (57)摘要 本发明公开一种新型钽铪氧化物复相陶瓷 及其制备方法，该复相陶瓷由Hf Ta O 和Ta O 两 6 2 17 2 5 相组成，Ta O 的摩尔百分比为30～70％， 2 5 Hf Ta O 和Ta O 两相通过共格界面结合。钽铪氧 6 2 17 2 5 化物复相陶瓷中Hf Ta O 和Ta O 两相的单晶通 6 2 17 2 5 过共格界面结合，与纯相单晶氧化物相比 ，界面 的存在能够有效阻止位错运动，避免高温下力学 性能的

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