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一种纳米颗粒增强Zn-Mg二元合金及其制备方法2026

2024-06-01 07:25:16 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202410226811.7
  • 公开(公告)日:2026-09-25
  • 公开(公告)号:CN118064738A
  • 申请人:西南交通大学
摘要:一种纳米颗粒增强Zn‑Mg二元合金及其制备方法,制备方法步骤如下:A、按照设定的各组成元素的质量百分含量配比,制备铸态Zn‑Mg二元合金;设定的各组成元素的质量百分含量为:0.05‑3.0%Mg,不可避免的杂质元素含量≤0.1%,其余为Zn;B、将铸态Zn‑Mg二元合金进行退火处理;C、将Zn‑Mg二元合金在200‑300℃下保温2‑4h后,进行热挤压,挤压温度为200‑300℃,挤压速度为0.1‑5mm/s,挤压比为9‑30:1;D、将热挤压加工后的Zn‑Mg二元合金置于热处理炉中,随炉升温至350‑430℃进行半固态等温处理,保温0.1‑4h,然后水冷淬火;E、将Zn‑Mg二元合金在180‑250℃下保温2‑4h后,进行二次挤压,即得;二次挤压的挤压温度为180‑250℃,挤压速度为0.1‑5mm/s,挤压比为9‑60:1。上述制备方法制备的Zn‑Mg二元合金兼具优良的屈服强度、拉伸强度和延伸率。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 118064738 A (43)申请公布日 2024.05.24 (21)申请号 202410226811.7 (22)申请日 2024.02.29 (71)申请人 西南交通大学 地址 610031 四川省成都市金牛区二环路 北一段111号 (72)发明人 张英波 胡云峰  (74)专利代理机构 成都众恒智合专利代理事务 所(普通合伙) 51239 专利代理师 吴桐 (51)Int.Cl. C22C 1/02 (2006.01) C22C 18/00 (2006.01) C22F 1/16 (2006.01) B21C 23/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书7页 附图2页 (54)发明名称 一种纳米颗粒增强Zn-Mg二元合金及其制备 方法 (57)摘要 一种纳米颗粒增强Zn‑Mg二元合金及其制备 方法,制备方法步骤如下:A、按照设定的各组成 元素的质量百分含量配比,制备铸态Zn‑Mg二元 合金;设定的各组成元素的质量百分含量为: 0 .05‑3 .0 %Mg ,不可避免的杂质元素含量≤ 0.1%,其余为Zn;B、将铸态Zn‑Mg二元合金进行 退火处理;C、将Zn‑Mg二元合金在200‑300℃下保 温2‑4h后,进行热挤压,挤压温度为200‑300℃, 挤压速度为0.1‑5mm/s,挤压比为9‑30:1;D、将热 挤压加工后的Zn‑Mg二元合金置于热处理炉中, 随炉升温至3

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