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发明

一种二维镧系元素碳氮化物半导体材料及其制备方法与应用2026

2024-06-01 07:55:43 发布于四川 4
  • 申请专利号：CN202410047039.2
  • 公开（公告）日：2026-11-10
  • 公开（公告）号：CN118084037A
  • 申请人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所|||宁波杭州湾新材料研究院
摘要：本发明涉及一种二维镧系元素碳氮化物半导体材料及其制备方法与应用，属于二维材料技术领域。本发明公开了一种二维镧系元素碳氮化物半导体材料，所述二维镧系元素碳氮化物半导体材料的分子式为M2XTx，其中M为La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu元素中的任意一种或多种，X为H、B、C、N、P元素中的任意一种或多种，T为H、F、Cl、Br、I、S、Se、Te、O元素中的任意一种或多种，x为端基的化学计量数，x＝1～2。本发明还公开了一种二维镧系元素碳氮化物半导体材料的制备方法，拓展了MXene材料在光电材料、磁性材料、催化材料、能源材料等领域中的应用。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 118084037 A (43)申请公布日 2024.05.28 (21)申请号 202410047039.2 C01B 35/06 (2006.01) C01B 35/14 (2006.01) (22)申请日 2024.01.12 C01B 21/083 (2006.01) (71)申请人 中国科学院宁波材料技术与工程研 C01B 21/086 (2006.01) 究所 地址 315201 浙江省宁波市镇海区庄市大 道519号 申请人 宁波杭州湾新材料研究院 (72)发明人 黄庆　方倩　李勉　陈露　 (74)专利代理机构 宁波市鄞州盛飞专利代理事 务所(特殊普通合伙) 33243 专利代理师 洪珊珊 (51)Int.Cl. C01F 17/10 (2020.01) B01J 27/24 (2006.01) C01F 17/30 (2020.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图4页 (54)发明名称 一种二维镧系元素碳氮化物半导体材料及 其制备方法与应用 (57)摘要 本发明涉及一种二维镧系元素碳氮化物半 导体材料及其制备方法与应用，属于二

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