MOSFET门极串扰钳位电路、控制方法及控制器

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112688289 A (43)申请公布日 2021.04.20 (21)申请号 202110072434.2 (22)申请日 2021.01.19 (71)申请人 深圳市汇川技术股份有限公司 地址 518000 广东省深圳市宝安70区留仙 二路鸿威工业园E栋 (72)发明人 刘璐　张太之　 (74)专利代理机构 深圳市世纪恒程知识产权代 理事务所 44287 代理人 薛福玲 (51)Int.Cl. H02H 9/04 (2006.01) 权利要求书2页 说明书9页 附图3页 (54)发明名称 MOSFET门极串扰钳位电路、控制方法及控制 器 (57)摘要 本发明涉及电控技术领域，尤其涉及一种 MOSFET门极串扰钳位电路、控制方法及控制器。 所述电路包括：MOSFET驱动单元、抗扰单元及驱 动芯片；其中，所述MOSFET驱动单元的门极与所 述驱动芯片的第一驱动端连接，所述抗扰单元的 第一端与所述MOSFET驱动单元的门极连接，所述 抗扰单元的第二端与所述驱动芯片的负压端或 接地端连接；所述抗扰单元，用于接收在MOSFET 开关过程中引起的串扰电压；所述驱动芯片，用 于控制所述抗扰单元降低所述串扰电压。本发明 通过上述电路对MOSFET驱动单元的门极进行隔 A 离与钳位，有效抑制了门极串扰电压。 9 8 2 8 8 6 2 1 1 N C CN 112688289 A