1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 专利分类
  4. 化学/冶金
发明

一种SiC掺杂高熵合金及其制备方法和应用

2023-06-07 22:09:15 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202211444019.6
  • 公开（公告）日：2024-08-02
  • 公开（公告）号：CN115747610A
  • 申请人：陕西理工大学
摘要：本发明提供了一种SiC掺杂高熵合金及其制备方法和应用，属于高熵合金技术领域。本发明所述高熵合金为SiC掺杂的FeNiCoCr高熵合金，在纳米尺度上，由无序的FCC基体(面心立方)以及基体内大量规则立方形态L12型Ni3Si纳米颗粒析出相组成，实现了规则L12型Ni3Si纳米颗粒强化FeNiCoCr高熵合金的强化设计。其中，大量Ni3Si纳米析出相对合金屈服强度提高具有显著作用，并且由于析出相Ni3Si与基体界面错配度低，可以避免应力集中导致的过早失稳，同时避免了脆性L21型Ni2AlTi的析出，在提高屈服强度的同时保留了良好的塑性。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115747610 A (43)申请公布日 2023.03.07 (21)申请号 202211444019.6 B22F 9/04 (2006.01) (22)申请日 2022.11.18 (71)申请人 陕西理工大学 地址 723000 陕西省汉中市汉台区朝阳路 陕西理工大学 (72)发明人 艾桃桃　王沛锦　王涛涛　张立斋　 董洪峰　包维维　袁新强　廖仲尼　 邹祥宇　 (74)专利代理机构 北京高沃律师事务所 11569 专利代理师 王儒 (51)Int.Cl. C22C 32/00 (2006.01) B22F 1/12 (2022.01) B22F 3/10 (2006.01) B22F 3/14 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图3页 (54)发明名称 一种SiC掺杂高熵合金及其制备方法和应用 (57)摘要 本发明提供了一种SiC掺杂高熵合金及其制 备方法和应用，属于高熵合金技术领域。本发明 所述高熵合金为SiC掺杂的FeNiCoCr高熵合金， 在纳米尺度上，由无序的FCC基体(面心立方)以 及基体内大量规则立方形态L1 型Ni Si纳米颗 2 3 粒析出相组成，实现了规则L1 型Ni Si纳米颗粒

最新专利

相关专利