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PCT发明

光刻设备和紫外辐射控制系统

2023-05-05 09:07:23 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN202080057089.9
  • 公开（公告）日：2024-10-08
  • 公开（公告）号：CN114222951A
  • 申请人：ASML控股股份有限公司
摘要：本公开提供了一种用于控制光刻设备中的紫外辐射的紫外辐射控制系统和相关方法。所述紫外辐射控制系统包括：壳体；转换晶体(540)，所述转换晶体被设置在所述壳体上或所述壳体中，所述转换晶体被配置成将紫外辐射转换为荧光辐射；多个光电探测器(550)，所述多个光电探测器被配置成检测所述荧光辐射的散射部分的强度；以及至少一个扩散表面(545)，所述至少一个扩散表面被设置在所述转换晶体上或所述转换晶体中，所述至少一个扩散表面被配置成增加所述荧光辐射的散射部分的强度。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114222951 A (43)申请公布日 2022.03.22 (21)申请号 202080057089.9 (74)专利代理机构 中科专利商标代理有限责任 公司 11021 (22)申请日 2020.08.05 代理人 张启程 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 62/886,532 2019.08.14 US G03F 7/20 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 G01J 1/04 (2006.01) 2022.02.11 G01J 1/42 (2006.01) (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/EP2020/072062 2020.08.05 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2021/028295 EN 2021.02.18 (71)申请人 ASML控股股份有限公司 地址 荷兰维德霍温 (72)发明人 A ·克雷默　

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