一种高纯度三氧化二锑粉体的制备方法2023

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117208956 A (43)申请公布日 2023.12.12 (21)申请号 202311193234.8 (22)申请日 2023.09.15 (71)申请人 先导薄膜材料（广东）有限公司 地址 511517 广东省清远市高新区百嘉工 业园27-9号A区 (72)发明人 刘洋　王权　童培云　白平平　 何欣俊　 (74)专利代理机构 广州三环专利商标代理有限 公司 44202 专利代理师 宋静娜 (51)Int.Cl. C01G 30/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书9页 (54)发明名称 一种高纯度三氧化二锑粉体的制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种高纯度三氧化二锑的制 备方法，属于粉体加工技术领域。本发明所述三 氧化二锑的制备方法相比于现有的传统湿法工 艺，该方法以熔融锑盐为原料，通过分配水解‑氨 解步骤首先将原料转化为氧化物状态，同时抑制 原料中杂质的堆积和内部包裹现象，且反应阶段 生成的氯化铵也不会进一步停留依附在产物上， 待进一步熟化及煅烧后，制备的三氧化二锑粉体 纯度最高可达到99.999％且晶粒完整度高；所述 工艺引入试剂量少，工艺产生的废液处理难度 低，因此整体流程具有较高的性价比。 A 6 5 9 8 0 2 7 1 1 N C CN 117208956 A 权　利　要　求　书