用于等离子体半导体处理的多层聚焦环2026

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117561585 A (43)申请公布日 2024.02.13 (21)申请号 202280035387.7 (22)申请日 2022.08.25 (85)PCT国际申请进入国家阶段日 2023.11.15 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/CN2022/114863 2022.08.25 (71)申请人 北京北方华创微电子装备有限公司 地址 100176 北京市大兴区北京经济技术 开发区文昌大道8号 (72)发明人 彭宇霖　赵晋荣　 (74)专利代理机构 北京天昊联合知识产权代理 有限公司 11112 专利代理师 彭瑞欣　王婷 (51)Int.Cl. H01J 37/21 (2006.01) 权利要求书6页 说明书19页 附图11页 (54)发明名称 用于等离子体半导体处理的多层聚焦环 (57)摘要 本发明总体涉及等离子体半导体处理以及 相关的部件和工具。在示例中，聚焦环包括第一 环形层和第二环形层。第二环形层的上表面构造 成通过第一环形层的下表面接触该上表面来支 撑第一环形层。下表面和上表面在周向上呈周期 性结构，并且具有相同的周期长度。下表面和上 表面中的至少一个包括第一突出径向线(PRL)、 第二PRL和布置在第一PRL和第二PRL之间的凹入 径向线(RRL)。周期长度为从第一PRL至第二PRL。 下表面和/或上表面从第一PRL到RRL是连续的， 并且下表面和/或上表面从RRL到第二PRL的是连 续的。第二环形