线性聚硅氧烷低介电损耗光敏树脂的制备及光刻图案化的应用2024

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117111405 A (43)申请公布日 2023.11.24 (21)申请号 202310978758.1 (22)申请日 2023.08.04 (71)申请人 西南科技大学 地址 621010 四川省绵阳市涪城区青龙大 道中段59号 (72)发明人 杨军校　胡鑫雨　马佳俊　彭娟　 杜翰林　 (74)专利代理机构 绵阳远卓弘睿知识产权代理 事务所(普通合伙) 51371 专利代理师 张忠庆 (51)Int.Cl. G03F 7/075 (2006.01) C08G 77/20 (2006.01) 权利要求书3页 说明书22页 附图6页 (54)发明名称 线性聚硅氧烷低介电损耗光敏树脂的制备 及光刻图案化的应用 (57)摘要 本发明公开了一种线性聚硅氧烷低介电损 耗光敏树脂的制备及光刻图案化的应用，其由二 甲氧基(甲基)(苯并环丁烯基乙烯基)硅烷类线 性聚合物、光引发体系和有机溶剂配制形成光敏 溶液，通过光敏溶液制备光敏薄膜，即用于光刻 图案化的线性聚硅氧烷低介电损耗光敏树脂。本 发明的光敏体系光固化后所得的图案具有较高 的清晰度，通过光/热双交联过程，所得的薄膜具 有较高的热稳定性；同时在热处理过程中，未反 应的光引发剂会热分解，不会影响薄膜的介电性 能；本发明提供的线性聚硅氧烷光敏树脂，具有 A 比较优异的介电性能(10GHz，Dk:2 .7，Df ：0.002 5 ～0.00