一种高性能陶瓷基板的制备方法2025
- 申请专利号:CN202310763429.5
- 公开(公告)日:2025-08-08
- 公开(公告)号:CN117776737A
- 申请人:吉安电科集成电路与通讯传输实验室科技有限公司
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117776737 A (43)申请公布日 2024.03.29 (21)申请号 202310763429.5 C04B 35/64 (2006.01) (22)申请日 2023.06.27 (71)申请人 吉安电科集成电路与通讯传输实验 室科技有限公司 地址 343100 江西省吉安市井冈山经济技 术开发区深圳大道238号物联网创客 园4号楼第四层403房 (72)发明人 吴波 聂勇 许智良 廖丹 金海焱 游鑫宇 马榤辉 张叶华 (74)专利代理机构 安徽万幸合盛知识产权代理 事务所(普通合伙) 34297 专利代理师 钟忠 (51)Int.Cl. C04B 35/584 (2006.01) C04B 35/622 (2006.01) 权利要求书1页 说明书9页 (54)发明名称 一种高性能陶瓷基板的制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种高性能陶瓷基板的制备 方法,由以下步骤组成:将氮化硅粉、烧结助剂、 活性炭、交联剂和乙醇混合球磨,造粒,得到混合 粉体;将上述混合粉体干压成型,得到生坯;将生 坯烧结,得到高性能陶瓷基板。本发明有效克服 了现有氮化硅陶瓷的导热性能不佳及机械强度 不强的问题,通过添加晶相交联剂有效降低氧杂 质缺陷,制备的陶瓷基板的开孔率低,内部缺陷 少,能够保证陶瓷结构的
原创力.专利