发明

一种高性能陶瓷基板的制备方法2025

2024-03-31 07:27:18 发布于四川 13
  • 申请专利号:CN202310763429.5
  • 公开(公告)日:2025-08-08
  • 公开(公告)号:CN117776737A
  • 申请人:吉安电科集成电路与通讯传输实验室科技有限公司
摘要:本发明公开了一种高性能陶瓷基板的制备方法,由以下步骤组成:将氮化硅粉、烧结助剂、活性炭、交联剂和乙醇混合球磨,造粒,得到混合粉体;将上述混合粉体干压成型,得到生坯;将生坯烧结,得到高性能陶瓷基板。本发明有效克服了现有氮化硅陶瓷的导热性能不佳及机械强度不强的问题,通过添加晶相交联剂有效降低氧杂质缺陷,制备的陶瓷基板的开孔率低,内部缺陷少,能够保证陶瓷结构的完整性、致密性和表面平整性,同时还具有良好的导热性能和机械强度。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117776737 A (43)申请公布日 2024.03.29 (21)申请号 202310763429.5 C04B 35/64 (2006.01) (22)申请日 2023.06.27 (71)申请人 吉安电科集成电路与通讯传输实验 室科技有限公司 地址 343100 江西省吉安市井冈山经济技 术开发区深圳大道238号物联网创客 园4号楼第四层403房 (72)发明人 吴波 聂勇 许智良 廖丹  金海焱 游鑫宇 马榤辉 张叶华  (74)专利代理机构 安徽万幸合盛知识产权代理 事务所(普通合伙) 34297 专利代理师 钟忠 (51)Int.Cl. C04B 35/584 (2006.01) C04B 35/622 (2006.01) 权利要求书1页 说明书9页 (54)发明名称 一种高性能陶瓷基板的制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种高性能陶瓷基板的制备 方法,由以下步骤组成:将氮化硅粉、烧结助剂、 活性炭、交联剂和乙醇混合球磨,造粒,得到混合 粉体;将上述混合粉体干压成型,得到生坯;将生 坯烧结,得到高性能陶瓷基板。本发明有效克服 了现有氮化硅陶瓷的导热性能不佳及机械强度 不强的问题,通过添加晶相交联剂有效降低氧杂 质缺陷,制备的陶瓷基板的开孔率低,内部缺陷 少,能够保证陶瓷结构的

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