一种优化电位分布的SGT器件及其制作方法2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117766403 A (43)申请公布日 2024.03.26 (21)申请号 202410195432.6 (22)申请日 2024.02.22 (71)申请人 南京华瑞微集成电路有限公司 地址 210000 江苏省南京市浦口区浦滨大 道88号 (72)发明人 陶瑞龙　胡兴正　薛璐　 (74)专利代理机构 南京瑞华腾知识产权代理事 务所(普通合伙) 32368 专利代理师 徐冲冲 (51)Int.Cl. H01L 21/336 (2006.01) H01L 29/78 (2006.01) H01L 29/06 (2006.01) H01L 29/423 (2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图8页 (54)发明名称 一种优化电位分布的SGT器件及其制作方法 (57)摘要 本发明公开了一种优化电位分布的SGT器件 及其制作方法。该方法包括在场氧化层的上侧淀 积第一导电类型的多晶硅，并将多晶硅刻蚀形成 第一屏蔽栅和第二屏蔽栅，设置第一屏蔽栅的沟 槽与设置第二屏蔽栅的沟槽呈间隔设置，所述第 二屏蔽栅的顶端设置在沟槽的中部；在第二屏蔽 栅的上侧制作形成隔离氧化层，然后对隔离氧化 层进行刻蚀；在隔离氧化层和第一屏蔽栅上端两 侧的沟槽内生长栅氧化层；在栅氧化层内侧的沟 槽内淀积第一导电类型的多晶硅，并将多晶硅刻 蚀形成间隔设置在第一屏蔽栅四周的第一控制 栅和设置在隔离氧化层上侧的第二控