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一种复合铜箔的制备方法及复合铜箔2024

2023-10-22 07:16:13 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202310850248.6
  • 公开(公告)日:2024-11-01
  • 公开(公告)号:CN116892000A
  • 申请人:安徽立光电子材料股份有限公司
摘要:本发明公开了一种复合铜箔的制备方法及复合铜箔,包括非晶硅膜层、柔性基底膜层、铜膜层,在耐高温基材一侧表面上镀覆非晶硅膜层,氢化,在非晶硅膜层上方涂覆柔性基底膜层,在柔性基底膜层上方镀覆铜膜层,形成一种复合铜箔。激光辐照下,非晶硅膜层自基材上剥离,制得一种复合铜箔。这种复合铜箔膜层均匀,且易于自基材上剥离,剥离时不会损伤复合铜箔的膜层结构,能够很好的保持膜层的完整性。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116892000 A (43)申请公布日 2023.10.17 (21)申请号 202310850248.6 H01M 4/66 (2006.01) H01M 10/0525 (2010.01) (22)申请日 2023.07.11 (71)申请人 安徽立光电子材料股份有限公司 地址 239200 安徽省滁州市来安县经济开 发区B区(滁天路南侧) (72)发明人 毛祖攀 周健 夏桂玲  (74)专利代理机构 北京市隆安律师事务所 11323 专利代理师 权鲜枝 (51)Int.Cl. C23C 14/20 (2006.01) C23C 14/35 (2006.01) C23C 14/58 (2006.01) C23C 16/24 (2006.01) C23C 16/56 (2006.01) 权利要求书1页 说明书9页 附图1页 (54)发明名称 一种复合铜箔的制备方法及复合铜箔 (57)摘要 本发明公开了一种复合铜箔的制备方法及 复合铜箔,包括非晶硅膜层、柔性基底膜层、铜膜 层,在耐高温基材一侧表面上镀覆非晶硅膜层, 氢化,在非晶硅膜层上方涂覆柔性基底膜层,在 柔性基底膜层上方镀覆铜膜层,形成一种复合铜 箔。激光辐照下,非晶硅膜层自基材上剥离,制得 一

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