一种晶体生长装置

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112695376 A (43)申请公布日 2021.04.23 (21)申请号 202110145355.X C30B 15/20 (2006.01) (22)申请日 2021.02.03 (71)申请人 中国电子科技集团公司第十三研究 所 地址 050000 河北省石家庄市新华区合作 路113号 (72)发明人 史艳磊　孙聂枫　王书杰　刘惠生　 孙同年　付莉杰　赵红飞　李亚旗　 邵会民　康永　张晓丹　张鑫　 姜剑　王阳　李晓岚　薛静　 (74)专利代理机构 石家庄众志华清知识产权事 务所(特殊普通合伙) 13123 代理人 聂旭中 (51)Int.Cl. C30B 15/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图4页 (54)发明名称 一种晶体生长装置 (57)摘要 一种晶体生长装置，涉及晶体制备领域，尤 其涉及使用提拉法制备低应力、低缺陷晶体的装 置。包括炉体，置于炉体底部的坩埚及加热保温 系统，晶体提拉机构，石英观察窗，所述装置还包 括可升降式加热罩机构，包括加热罩体、加热罩 支撑部件、设置在加热罩体四周的加热丝、加热 罩升降机构。采用本装置，可以降低晶体生长过 程中、以及晶体提起后降温过程中晶体内的应 力，降低缺陷，避免晶体开裂，同时保持熔体内的