一种PECVD法制备N型SE-TOPCon电池背面结构的制备方法2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117626232 A (43)申请公布日 2024.03.01 (21)申请号 202311613582.6 (22)申请日 2023.11.29 (71)申请人 合肥大恒智慧能源科技有限公司 地址 238000 安徽省合肥市巢湖经济开发 区半汤街道办事处潜川路8号 (72)发明人 谢申衡　吴群峰　王士雷　 (74)专利代理机构 芜湖思诚知识产权代理有限 公司 34138 专利代理师 杜刚 (51)Int.Cl. C23C 16/505 (2006.01) C23C 16/24 (2006.01) C23C 16/40 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图2页 (54)发明名称 一种PECVD法制备N型SE-TOPCon电池背面结 构的制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种PECVD法制备N型SE ‑ TOPCon电池背面结构的制备方法，包括以下步 骤：进舟：将经过清洗制绒，前硼扩散制PN、SE，后 硼氧化，碱抛后的硅片插入石墨舟里，并送至 PECVD沉积炉内；升温：关闭PECVD沉积炉炉门，通 过加热温控将炉内温度升至设定温度；抽空：对 PECVD沉积炉内进行抽空处理，并同时打开炉管 底部与顶部的辅热；测漏：检测气体泄漏情况；预 通气‑恒压：进行预通气保持PECVD沉积炉内恒 压；隧穿层沉积：在沉积不同膜层前进行预通沉 积该层